型号IRFM460 厂家IR 封装TO-254
金属氧化物场效应管MOSFET
极性
N-CH
耗散功率
250W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
19A
上升时间
120 ns
输入电容(Ciss)
4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
98 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)
封装参数
安装方式
Through Hole
引脚数
3
封装
TO-254-3
外形尺寸
封装
TO-254-3
物理参数
工作温度
-55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
符合标准
RoHS标准
Non-Compliant
含铅标准
Contains Lead
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